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一、材料選擇與預處理
1. 原材料預處理
去除表面污染：
機械加工后的金屬試片用丙酮、乙醇超聲清洗 10-15 分鐘，去除油污和切削液。
半導體材料需用 “RCA 標準清洗法”（H?O? NH?OH H?O 混合液）去除硅片表面的有機物和金屬離子。
消除應力與組織缺陷：
金屬試片可通過退火處理（如不銹鋼在 800℃退火 1 小時）消除加工應力，改善晶粒均勻性。
二、成型與切割工藝
1. 尺寸與形狀設計
典型規格：
圓形：直徑 5-20mm，厚度 1-3mm（便于封裝和電極引線焊接）。
方形：10mm×10mm×2mm（適用于表面形貌表征或大面積測試）。
特殊需求：
研究邊緣效應時，可加工成帶凹槽或臺階的試片；電化學阻抗譜（EIS）測試需保證試片表面平整，減少界面電容干擾。
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